casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / MMBT2222A-G
Número da peça de fabricante | MMBT2222A-G |
---|---|
Número da peça futura | FT-MMBT2222A-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MMBT2222A-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 600mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 40V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 10nA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10mV |
Potência - Max | 300mW |
Freqüência - Transição | 300MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT2222A-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MMBT2222A-G-FT |
MMST2907A-7
Diodes Incorporated
MMST3904-7
Diodes Incorporated
MMST3906-7
Diodes Incorporated
MMST4124-7
Diodes Incorporated
MMST4126-7
Diodes Incorporated
MMST4401-7
Diodes Incorporated
MMST4403-7
Diodes Incorporated
MMST5401-7
Diodes Incorporated
MMST5551-7
Diodes Incorporated
MMST6427-7
Diodes Incorporated
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel