casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / MMBD914LT1G
Número da peça de fabricante | MMBD914LT1G |
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Número da peça futura | FT-MMBD914LT1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MMBD914LT1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 200mA (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 10mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 4ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 75V |
Capacitância @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBD914LT1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MMBD914LT1G-FT |
DB2J31400L
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A40MX02-1VQG80I
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Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
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EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
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