casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MMBD7000LT1G
Número da peça de fabricante | MMBD7000LT1G |
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Número da peça futura | FT-MMBD7000LT1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MMBD7000LT1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Series Connection |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 200mA (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 100mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 4ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 3µA @ 100V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBD7000LT1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MMBD7000LT1G-FT |
MURH840CTG
ON Semiconductor
NRTSV20H100CTG
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MBR60H100CTG
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MUR1620CTRG
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MUR1620CTG
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EP2C5T144C7
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LCMXO640E-3T100C
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XC3S1400A-5FGG484C
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR50
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AT40K05LV-3DQC
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EP3SL70F484C3N
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EP20K200CF484C7N
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5SGXMABN3F45C2N
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AGL125V2-CS196I
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A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation