casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / MJW21196G
Número da peça de fabricante | MJW21196G |
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Número da peça futura | FT-MJW21196G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MJW21196G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 16A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 250V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 3.2A, 16A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 8A, 5V |
Potência - Max | 200W |
Freqüência - Transição | 4MHz |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJW21196G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MJW21196G-FT |
2SA1962-O(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
NJW21193G
ON Semiconductor
2SC5242-O(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD1047
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FJA4213OTU
ON Semiconductor
2SA1943N(S1,E,S)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5242RTU
ON Semiconductor
2STA1695
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2STA2510
STMicroelectronics
2STC2510
STMicroelectronics
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
EP4SE360H29C3N
Intel
10AX032E3F27E2LG
Intel
10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel