casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / MJE802G
Número da peça de fabricante | MJE802G |
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Número da peça futura | FT-MJE802G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MJE802G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN - Darlington |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 4A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 80V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 30mA, 1.5A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 1.5A, 3V |
Potência - Max | 40W |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-225AA, TO-126-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-225AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJE802G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MJE802G-FT |
2SD225900A
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2SD1994ARA
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2SD1994ASA
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XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel