casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / MJE200G
Número da peça de fabricante | MJE200G |
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Número da peça futura | FT-MJE200G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MJE200G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 5A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 40V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.8V @ 1A, 5A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 45 @ 2A, 1V |
Potência - Max | 15W |
Freqüência - Transição | 65MHz |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-225AA, TO-126-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-225AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJE200G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MJE200G-FT |
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Xilinx Inc.
LFE3-17EA-7LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-ZVQG100I
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC256-2
Intel
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
XC2V2000-5BG575I
Xilinx Inc.
EPF6016QC208-3
Intel