casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / MJE200G
Número da peça de fabricante | MJE200G |
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Número da peça futura | FT-MJE200G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MJE200G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 5A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 40V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.8V @ 1A, 5A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 45 @ 2A, 1V |
Potência - Max | 15W |
Freqüência - Transição | 65MHz |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-225AA, TO-126-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-225AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJE200G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MJE200G-FT |
2SD21360RA
Panasonic Electronic Components
2SD21780RA
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2SD21780SA
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2SD22200RA
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2SA16740SA
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2SB13980PA
Panasonic Electronic Components
2SB14460RA
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XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel