casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / MJD32CTM
Número da peça de fabricante | MJD32CTM |
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Número da peça futura | FT-MJD32CTM |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MJD32CTM Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 3A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 100V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 50µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 3A, 4V |
Potência - Max | 1.56W |
Freqüência - Transição | 3MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D-Pak |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD32CTM Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MJD32CTM-FT |
KSA1013YBU
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KSA916YTA
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KSA1013OBU
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XC6SLX150T-3FGG676I
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XC3S500E-5PQG208C
Xilinx Inc.
AX250-2FGG484
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5CGTFD5C5F27I7N
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10M50SCE144C7G
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5SGXEB6R3F43C4
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EP4S40G5H40I1N
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LFE5U-12F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40E3LG
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EP1S30F780C5
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