casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / MJD122TF
Número da peça de fabricante | MJD122TF |
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Número da peça futura | FT-MJD122TF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MJD122TF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Last Time Buy |
Tipo de transistor | NPN - Darlington |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 8A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 100V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 80mA, 8A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 10µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 4A, 4V |
Potência - Max | 1.75W |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D-Pak |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD122TF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MJD122TF-FT |
BCX52E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCX5310E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCX5316E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCX5316E6433HTMA1
Infineon Technologies
BCX53E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCX5410E6327
Infineon Technologies
BCX5516E6433HTMA1
Infineon Technologies
BCX55E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCX5610H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCX5616E6327HTSA1
Infineon Technologies
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
EP4SE360H29C3N
Intel
10AX032E3F27E2LG
Intel
10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel