casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / MJD122G
Número da peça de fabricante | MJD122G |
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Número da peça futura | FT-MJD122G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MJD122G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN - Darlington |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 8A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 100V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 80mA, 8A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 10µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 4A, 4V |
Potência - Max | 1.75W |
Freqüência - Transição | 4MHz |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DPAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD122G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MJD122G-FT |
MSD42SWT1G
ON Semiconductor
NSVBC848BWT1G
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NSVMMBT5401WT1G
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2SC4081RT1G
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M2GL050-FGG484I
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EP3SE80F1152I3N
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LCMXO2-2000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RC240-4
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EPF10K50VQC240-1
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