casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / MJD112T4G
Número da peça de fabricante | MJD112T4G |
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Número da peça futura | FT-MJD112T4G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MJD112T4G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN - Darlington |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 2A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 100V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 20µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Potência - Max | 20W |
Freqüência - Transição | 25MHz |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DPAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD112T4G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MJD112T4G-FT |
NSVBC848BWT1G
ON Semiconductor
NSVMMBT5401WT1G
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NSVMSB1218A-RT1G
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2SA1576ART1
ON Semiconductor
2SA1576ART1G
ON Semiconductor
2SC4081RT1
ON Semiconductor
2SC4081RT1G
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2SC4211-6-TL-E
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A54SX16A-2FG256I
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LCMXO640E-3FTN256I
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EP2C50F672C7N
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EP3C5U256C7
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5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
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XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
Intel