casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / MJ11032G
Número da peça de fabricante | MJ11032G |
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Número da peça futura | FT-MJ11032G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MJ11032G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN - Darlington |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 50A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 120V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 3.5V @ 500mA, 50A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 2mA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 25A, 5V |
Potência - Max | 300W |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-204AE |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJ11032G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MJ11032G-FT |
MJE703G
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2N5195G
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10AX022E4F29I3LG
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XA7A35T-1CPG236Q
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LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
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EP3SL110F780I4L
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