casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / MJ11015G
Número da peça de fabricante | MJ11015G |
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Número da peça futura | FT-MJ11015G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MJ11015G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP - Darlington |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 30A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 120V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 300mA, 30A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 20A, 5V |
Potência - Max | 200W |
Freqüência - Transição | 4MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-204AA, TO-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-204 (TO-3) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJ11015G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MJ11015G-FT |
MJE350G
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EPF10K30EFI256-2
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5SGXEA7K2F35I3LN
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XC6VCX240T-2FFG1156C
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A42MX09-FPLG84
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3AJI
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10AX090H2F34E1SG
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5AGXFA5H4F35C5N
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10AX022E3F29E1SG
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