casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / MIXA40WB1200TED
Número da peça de fabricante | MIXA40WB1200TED |
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Número da peça futura | FT-MIXA40WB1200TED |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MIXA40WB1200TED Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | PT |
Configuração | Three Phase Inverter with Brake |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 60A |
Potência - Max | 195W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 2.1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | - |
Entrada | Three Phase Bridge Rectifier |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | E2 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | E2 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MIXA40WB1200TED Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MIXA40WB1200TED-FT |
APTGT30H60T1G
Microsemi Corporation
APTGT30TL601G
Microsemi Corporation
APTGT30X60T3G
Microsemi Corporation
APTGT35A120T1G
Microsemi Corporation
APTGT35H120T3G
Microsemi Corporation
APTGT35X120T3G
Microsemi Corporation
APTGT400A120D3G
Microsemi Corporation
APTGT400A120G
Microsemi Corporation
APTGT400DA120G
Microsemi Corporation
APTGT400SK120G
Microsemi Corporation
XC4005E-3PQ100I
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
10AX016C4U19E3LG
Intel
10M50DAF484I6G
Intel
EP4CE22F17C8
Intel
LCMXO640E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29I5G
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel