casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / MIXA10WB1200TED
Número da peça de fabricante | MIXA10WB1200TED |
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Número da peça futura | FT-MIXA10WB1200TED |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MIXA10WB1200TED Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | PT |
Configuração | Three Phase Inverter with Brake |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 17A |
Potência - Max | 60W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 9A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 700µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | - |
Entrada | Three Phase Bridge Rectifier |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | E2 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | E2 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MIXA10WB1200TED Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MIXA10WB1200TED-FT |
IRG5U300SD12B
Infineon Technologies
IRG5U400SD12B
Infineon Technologies
IRG5U50HF12A
Infineon Technologies
IRG5U50HH12E
Infineon Technologies
IRG5U75HF06A
Infineon Technologies
IRG5U75HF12A
Infineon Technologies
IRG5U75HH06E
Infineon Technologies
IRG5U75HH12E
Infineon Technologies
IRG5W50HF06A
Infineon Technologies
IRG7T100HF12A
Infineon Technologies
XC6SLX9-2FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQ100
Microsemi Corporation
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC2VP30-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A100T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA5H4F35I3N
Intel
10AX016E4F27E3SG
Intel