casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / MIMD10A-7-F
Número da peça de fabricante | MIMD10A-7-F |
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Número da peça futura | FT-MIMD10A-7-F |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MIMD10A-7-F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA, 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 100 Ohms, 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 250MHz, 200MHz |
Potência - Max | 200mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MIMD10A-7-F Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MIMD10A-7-F-FT |
BCR141SE6327BTSA1
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BCR141SH6327XTSA1
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BCR183SE6327BTSA1
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BCR183SE6433BTMA1
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XC2V250-5FGG256I
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XC6SLX150T-3FGG900C
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ICE65L01F-LQN84C
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A3PN250-VQG100I
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EP4CE30F23C7
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5SGSED8K3F40C4N
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5CGXFC5F6M11I7N
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5SGXMA3K2F35I3LN
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10AX016E4F29E3SG
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EP1K30QC208-1N
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