casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / MII200-12A4
Número da peça de fabricante | MII200-12A4 |
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Número da peça futura | FT-MII200-12A4 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MII200-12A4 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 270A |
Potência - Max | 1130W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 150A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 10mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 11nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Y3-DCB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Y3-DCB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MII200-12A4 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MII200-12A4-FT |
APTGT300SK170G
Microsemi Corporation
APTGT300SK60G
Microsemi Corporation
APTGT300TL65G
Microsemi Corporation
APTGT30A170T1G
Microsemi Corporation
APTGT30H170T3G
Microsemi Corporation
APTGT30H60T1G
Microsemi Corporation
APTGT30TL601G
Microsemi Corporation
APTGT30X60T3G
Microsemi Corporation
APTGT35A120T1G
Microsemi Corporation
APTGT35H120T3G
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
EP3C120F484I7N
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5SEE9F45I2N
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5SGXMA5N2F45I2LN
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LFE3-150EA-6LFN672C
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10AX027E1F29E1HG
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EP2C20Q240C8N
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EP20K100EQI208-3
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EPF10K30AQI208-3
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