casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / MII100-12A3
Número da peça de fabricante | MII100-12A3 |
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Número da peça futura | FT-MII100-12A3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MII100-12A3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 135A |
Potência - Max | 560W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 75A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 5.5nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Y4-M5 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Y4-M5 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MII100-12A3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MII100-12A3-FT |
APTGT300DU120G
Microsemi Corporation
APTGT300H60G
Microsemi Corporation
APTGT300SK120G
Microsemi Corporation
APTGT300SK170G
Microsemi Corporation
APTGT300SK60G
Microsemi Corporation
APTGT300TL65G
Microsemi Corporation
APTGT30A170T1G
Microsemi Corporation
APTGT30H170T3G
Microsemi Corporation
APTGT30H60T1G
Microsemi Corporation
APTGT30TL601G
Microsemi Corporation
XC4005E-3PQ100I
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
10AX016C4U19E3LG
Intel
10M50DAF484I6G
Intel
EP4CE22F17C8
Intel
LCMXO640E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29I5G
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel