casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / MGV1207R33M-10
Número da peça de fabricante | MGV1207R33M-10 |
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Número da peça futura | FT-MGV1207R33M-10 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | MGV |
MGV1207R33M-10 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 330nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 46A |
Atual - saturação | 65A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 0.9 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.531" L x 0.496" W (13.50mm x 12.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.256" (6.50mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MGV1207R33M-10 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MGV1207R33M-10-FT |
TYS4012680M-10
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EPF6024ATC144-2N
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A3P400-1PQ208
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5SGXMA3E3H29C3N
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5SEE9H40C4N
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5SGXEA9K3H40C2N
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AGL400V5-CS196I
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-5FN672I
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EPF10K100EQC240-2N
Intel
5SGXEA3H2F35C2LN
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