casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / MGV1207R30M-10
Número da peça de fabricante | MGV1207R30M-10 |
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Número da peça futura | FT-MGV1207R30M-10 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | MGV |
MGV1207R30M-10 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 300nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 48A |
Atual - saturação | 72A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 0.8 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.531" L x 0.496" W (13.50mm x 12.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.256" (6.50mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MGV1207R30M-10 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MGV1207R30M-10-FT |
TYS40124R7N-10
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A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel