casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / MGV12052R2M-10
Número da peça de fabricante | MGV12052R2M-10 |
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Número da peça futura | FT-MGV12052R2M-10 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | MGV |
MGV12052R2M-10 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 20A |
Atual - saturação | 32A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 5.5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.531" L x 0.496" W (13.50mm x 12.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.209" (5.30mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MGV12052R2M-10 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MGV12052R2M-10-FT |
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AGLN250V2-ZCSG81I
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M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
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XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
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EPF10K100ABI356-3N
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