casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / MGV1203R82M-10
Número da peça de fabricante | MGV1203R82M-10 |
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Número da peça futura | FT-MGV1203R82M-10 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | MGV |
MGV1203R82M-10 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 820nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 25A |
Atual - saturação | 44A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 3 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0404 (1010 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.531" L x 0.496" W (13.50mm x 12.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.150" (3.80mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MGV1203R82M-10 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MGV1203R82M-10-FT |
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A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel