casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / MGV0502R10M-10
Número da peça de fabricante | MGV0502R10M-10 |
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Número da peça futura | FT-MGV0502R10M-10 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | MGV |
MGV0502R10M-10 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 100nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 17A |
Atual - saturação | 45A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 3.9 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.217" L x 0.201" W (5.50mm x 5.10mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.091" (2.30mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MGV0502R10M-10 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MGV0502R10M-10-FT |
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XC6SLX150-3FGG900I
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XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel