casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / MGV04023R3M-10
Número da peça de fabricante | MGV04023R3M-10 |
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Número da peça futura | FT-MGV04023R3M-10 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | MGV |
MGV04023R3M-10 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 3.3µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 2.5A |
Atual - saturação | 4A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 87 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.177" L x 0.161" W (4.50mm x 4.10mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.091" (2.30mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MGV04023R3M-10 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MGV04023R3M-10-FT |
MGV06031R5M-10
Laird-Signal Integrity Products
MGV0603R33M-10
Laird-Signal Integrity Products
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Laird-Signal Integrity Products
XC4005XL-2TQ144C
Xilinx Inc.
XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE10E22I8LN
Intel
5SGXEABK2H40I2LN
Intel
5SGXMABK2H40I3LN
Intel
A42MX09-PL84I
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K3F35E2SG
Intel
EP3C80F780C7N
Intel