casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / MG17225WB-BN4MM
Número da peça de fabricante | MG17225WB-BN4MM |
---|---|
Número da peça futura | FT-MG17225WB-BN4MM |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MG17225WB-BN4MM Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1700V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 325A |
Potência - Max | 1400W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 225A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 3mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 20.5nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | WB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG17225WB-BN4MM Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MG17225WB-BN4MM-FT |
FZ2400R12HP4B9HOSA2
Infineon Technologies
FZ2400R12HP4HOSA2
Infineon Technologies
FZ2400R17HP4B9HOSA2
Infineon Technologies
FZ3600R17HE4HOSA2
Infineon Technologies
FZ3600R17HP4HOSA2
Infineon Technologies
FP15R12W1T4PB11BPSA1
Infineon Technologies
DF160R12W2H3_B11
Infineon Technologies
VS-70MT060WSP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-100MT060WDF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-100MT060WSP
Vishay Semiconductor Diodes Division