casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / MG12200D-BA1MM
Número da peça de fabricante | MG12200D-BA1MM |
---|---|
Número da peça futura | FT-MG12200D-BA1MM |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MG12200D-BA1MM Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 300A |
Potência - Max | 1400W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 200A (Typ) |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 14.9nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG12200D-BA1MM Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MG12200D-BA1MM-FT |
APTGF90H60T3G
Microsemi Corporation
APTGF90DU60TG
Microsemi Corporation
APTGF90DH60T3G
Microsemi Corporation
APTGF90A60T1G
Microsemi Corporation
APTGF75H120TG
Microsemi Corporation
APTGF75DSK120TG
Microsemi Corporation
APTGF50X60T3G
Microsemi Corporation
APTGF50VDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGF50VDA120T3G
Microsemi Corporation
APTGF50TL60T3G
Microsemi Corporation