casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / MG12150S-BN2MM
Número da peça de fabricante | MG12150S-BN2MM |
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Número da peça futura | FT-MG12150S-BN2MM |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MG12150S-BN2MM Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 200A |
Potência - Max | 625W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 150A (Typ) |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 10.5nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | S-3 Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | S3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG12150S-BN2MM Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MG12150S-BN2MM-FT |
APTGF30TL601G
Microsemi Corporation
APTGF30H60T3G
Microsemi Corporation
APTGF30H60T1G
Microsemi Corporation
APTGF300U120DG
Microsemi Corporation
APTGF300DA120G
Microsemi Corporation
APTGF300A120G
Microsemi Corporation
APTGF300A120D3G
Microsemi Corporation
APTGF25H120T1G
Microsemi Corporation
APTGF180H60G
Microsemi Corporation
APTGF180DH60G
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQ100
Microsemi Corporation
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC2VP30-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A100T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA5H4F35I3N
Intel
10AX016E4F27E3SG
Intel