casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / MG12150S-BN2MM
Número da peça de fabricante | MG12150S-BN2MM |
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Número da peça futura | FT-MG12150S-BN2MM |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MG12150S-BN2MM Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 200A |
Potência - Max | 625W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 150A (Typ) |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 10.5nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | S-3 Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | S3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG12150S-BN2MM Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MG12150S-BN2MM-FT |
APTGF30TL601G
Microsemi Corporation
APTGF30H60T3G
Microsemi Corporation
APTGF30H60T1G
Microsemi Corporation
APTGF300U120DG
Microsemi Corporation
APTGF300DA120G
Microsemi Corporation
APTGF300A120G
Microsemi Corporation
APTGF300A120D3G
Microsemi Corporation
APTGF25H120T1G
Microsemi Corporation
APTGF180H60G
Microsemi Corporation
APTGF180DH60G
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I4L
Intel
EP2AGX45DF25C6
Intel
10AX032H3F34I2LG
Intel
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
A42MX24-TQG176I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
10M04SCM153C8G
Intel
EP2SGX90FF1508C5N
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1SGX40DF1020C7N
Intel