casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / MG12150S-BN2MM
Número da peça de fabricante | MG12150S-BN2MM |
---|---|
Número da peça futura | FT-MG12150S-BN2MM |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MG12150S-BN2MM Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 200A |
Potência - Max | 625W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 150A (Typ) |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 10.5nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | S-3 Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | S3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG12150S-BN2MM Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MG12150S-BN2MM-FT |
APTGF30TL601G
Microsemi Corporation
APTGF30H60T3G
Microsemi Corporation
APTGF30H60T1G
Microsemi Corporation
APTGF300U120DG
Microsemi Corporation
APTGF300DA120G
Microsemi Corporation
APTGF300A120G
Microsemi Corporation
APTGF300A120D3G
Microsemi Corporation
APTGF25H120T1G
Microsemi Corporation
APTGF180H60G
Microsemi Corporation
APTGF180DH60G
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K250EFI672-3
Intel
5SGXMA3E2H29C3N
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
XA7A35T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
5CEFA7U19C6N
Intel
5CEFA7F31C7N
Intel
10AX066K2F40I2LG
Intel