casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / MG12100S-BN2MM
Número da peça de fabricante | MG12100S-BN2MM |
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Número da peça futura | FT-MG12100S-BN2MM |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MG12100S-BN2MM Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 140A |
Potência - Max | 450W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 100A (Typ) |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 7.1nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | S-3 Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | S3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG12100S-BN2MM Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MG12100S-BN2MM-FT |
APTGF50H120TG
Microsemi Corporation
APTGF50DH60T1G
Microsemi Corporation
APTGF50DDA120T3G
Microsemi Corporation
APTGF500U60D4G
Microsemi Corporation
APTGF350DU60G
Microsemi Corporation
APTGF350A60G
Microsemi Corporation
APTGF330DA60D3G
Microsemi Corporation
APTGF330A60D3G
Microsemi Corporation
APTGF30TL601G
Microsemi Corporation
APTGF30H60T3G
Microsemi Corporation
XC2S150E-6FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX75-3FGG676I
Xilinx Inc.
EP3SL70F484C4N
Intel
EP4CGX110CF23C7
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EP2AGX65DF25C6N
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EP3SL110F1152C3
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LFX200EB-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-4FN672C
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LFE3-150EA-9FN1156I
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5SGXMA3H3F35I4N
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