casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MF200C12F2-BP
Número da peça de fabricante | MF200C12F2-BP |
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Número da peça futura | FT-MF200C12F2-BP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MF200C12F2-BP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Series Connection |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 200A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 2.8V @ 200A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 110ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1mA @ 1200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | F2 Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | F2 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MF200C12F2-BP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MF200C12F2-BP-FT |
JANTX1N6660
Microsemi Corporation
JANTX1N6511
Microsemi Corporation
FST8145
Microsemi Corporation
FST80150SM5C
Microsemi Corporation
FST153100
Microsemi Corporation
FST153100A
Microsemi Corporation
FST153100D
Microsemi Corporation
FST60100
Microsemi Corporation
FST60100A
Microsemi Corporation
163CMQ080
SMC Diode Solutions
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
Microsemi Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
Intel
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP2AGZ300FF35C4N
Intel