casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / MDS1100
Número da peça de fabricante | MDS1100 |
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Número da peça futura | FT-MDS1100 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MDS1100 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 65V |
Freqüência - Transição | 1.03GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | - |
Ganho | 8.9dB |
Potência - Max | 8750W |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5A, 5V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100A |
Temperatura de operação | 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 55TU-1 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 55TU-1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MDS1100 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MDS1100-FT |
HFA3128RZ96
Renesas Electronics America Inc.
BFQ790H6327XTSA1
Infineon Technologies
BFQ19SH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFQ 19S E6327
Infineon Technologies
BFP650FH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP540FESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP740FESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP740FH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP420FH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP405FH6327XTSA1
Infineon Technologies
M7A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F40C2N
Intel
10AX032E2F27E2LG
Intel
5SGSED8N2F45I2N
Intel
5SGXEB6R3F43I4N
Intel
LFXP10C-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C120F780C8
Intel
EP1C20F324I7N
Intel