casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / MC1413BDR2
Número da peça de fabricante | MC1413BDR2 |
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Número da peça futura | FT-MC1413BDR2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MC1413BDR2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | 7 NPN Darlington |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
Potência - Max | - |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 16-SOIC |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MC1413BDR2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MC1413BDR2-FT |
SMBT3904UPNE6327HTSA1
Infineon Technologies
SMBT3906UE6327HTSA1
Infineon Technologies
ULN2003V12T16-13
Diodes Incorporated
SN75468N
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ULN2004AN
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XC6SLX4-L1TQG144I
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XC3S1600E-5FG320C
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EP1C3T100I7N
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A42MX16-2VQG100
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EP3C16U484C6
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LFE2-20SE-5FN256I
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EP3C120F780C7
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EPF10K100EQI240-3
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