casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBRTA80030R
Número da peça de fabricante | MBRTA80030R |
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Número da peça futura | FT-MBRTA80030R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBRTA80030R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 400A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 720mV @ 400A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1mA @ 30V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Three Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Three Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRTA80030R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBRTA80030R-FT |
MBRT30035RL
GeneSiC Semiconductor
MBRT30040L
GeneSiC Semiconductor
MBRT30040RL
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A40MX04-VQ80
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XC2V4000-4FF1517I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
A1020B-1PL68I
Microsemi Corporation
10CX150YF672E6G
Intel
A54SX16A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6F23C7N
Intel
10AX066K2F35I2SGES
Intel
EP2SGX90FF1508C3N
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