casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBRTA40035RL
Número da peça de fabricante | MBRTA40035RL |
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Número da peça futura | FT-MBRTA40035RL |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBRTA40035RL Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 200A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 200A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 3mA @ 35V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Three Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Three Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRTA40035RL Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBRTA40035RL-FT |
MURT20040R
GeneSiC Semiconductor
MURT20060
GeneSiC Semiconductor
MURT20060R
GeneSiC Semiconductor
MURT30005
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MURT30005R
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MURT30010
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MURT30040
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XC7S6-1FTGB196I
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AX250-1FG256I
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APA750-PQG208
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A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
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5SGXEA7N3F40C4N
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XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
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EP1C4F400C8
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EP2AGZ300FF35C4N
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