casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBRT60080
Número da peça de fabricante | MBRT60080 |
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Número da peça futura | FT-MBRT60080 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBRT60080 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 600A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 300A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1mA @ 20V |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Three Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Three Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRT60080 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBRT60080-FT |
MBRT12035
GeneSiC Semiconductor
MBRT12035R
GeneSiC Semiconductor
MBRT12040
GeneSiC Semiconductor
MBRT12040R
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MBRT12045R
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MBRT12060R
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MBRT12080
GeneSiC Semiconductor
MBRT12080R
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XC7S6-1FTGB196I
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APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
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5SGXEA7N3F40C4N
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XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
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EP2AGZ300FF35C4N
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