casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBRT600200R
Número da peça de fabricante | MBRT600200R |
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Número da peça futura | FT-MBRT600200R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBRT600200R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 300A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 300A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1mA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Three Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Three Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRT600200R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBRT600200R-FT |
GSXF120A100S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD050A006S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD100A006S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD100A020S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF100A020S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD120A008S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD080A020S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD100A010S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD120A020S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD030A010S1-D3
Global Power Technologies Group
EP2C5T144I8
Intel
A1020B-2PQG100I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484C3N
Intel
5SGXEA7K2F40I2N
Intel
EP2AGX45DF25C6
Intel
XC4028EX-3HQ208C
Xilinx Inc.
LFXP20C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP3SE80F780C4N
Intel