casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBRT40080R
Número da peça de fabricante | MBRT40080R |
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Número da peça futura | FT-MBRT40080R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBRT40080R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 400A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 200A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1mA @ 20V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Three Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Three Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRT40080R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBRT40080R-FT |
MSRT200140(A)
GeneSiC Semiconductor
MSRT200160(A)
GeneSiC Semiconductor
MSRT20060(A)
GeneSiC Semiconductor
MSRT20080(A)
GeneSiC Semiconductor
MSRT250100(A)
GeneSiC Semiconductor
MSRT250120(A)
GeneSiC Semiconductor
MSRT250140(A)
GeneSiC Semiconductor
MSRT250160(A)
GeneSiC Semiconductor
MSRT25060(A)
GeneSiC Semiconductor
MSRT25080(A)
GeneSiC Semiconductor
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel