casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBRT200200R
Número da peça de fabricante | MBRT200200R |
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Número da peça futura | FT-MBRT200200R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBRT200200R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 100A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 100A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1mA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Three Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Three Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRT200200R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBRT200200R-FT |
FST12045
GeneSiC Semiconductor
FST12060
GeneSiC Semiconductor
FST12080
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FST160100
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FST16020
GeneSiC Semiconductor
FST160200
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FST16030
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FST16040
GeneSiC Semiconductor
FST16045
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XA6SLX25-3FGG484Q
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M1A3P250-2PQG208I
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EP20K300EFC672-1
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10CL055YU484I7G
Intel
EP3SL50F484C4L
Intel
5SGXEA7N3F45I3LN
Intel
XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
AGL125V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation