casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / MBRF1060HC0G
Número da peça de fabricante | MBRF1060HC0G |
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Número da peça futura | FT-MBRF1060HC0G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
MBRF1060HC0G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 60V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-2 Full Pack |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ITO-220AC |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRF1060HC0G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBRF1060HC0G-FT |
SFAF508G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF12J C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF5JHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF8JDHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MURF10L60 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAF10100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAF10100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAF10150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAF10150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAF1020 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel