casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBRF10200CT-JT
Número da peça de fabricante | MBRF10200CT-JT |
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Número da peça futura | FT-MBRF10200CT-JT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
MBRF10200CT-JT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 910mV @ 5A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ITO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRF10200CT-JT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBRF10200CT-JT-FT |
BAV99TA
Diodes Incorporated
BAW156
Diodes Incorporated
BAW156-F
Diodes Incorporated
BAW56-7
Diodes Incorporated
BAW56TA
Diodes Incorporated
FLLD258TA
Diodes Incorporated
FLLD261TA
Diodes Incorporated
MMBD2004S
Diodes Incorporated
MMBD3004S-7
Diodes Incorporated
MMBD7000-7
Diodes Incorporated
XC7A75T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel