casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / MBRD835LT4H
Número da peça de fabricante | MBRD835LT4H |
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Número da peça futura | FT-MBRD835LT4H |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | * |
MBRD835LT4H Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Last Time Buy |
Tipo de Diodo | - |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Atual - Média Retificada (Io) | - |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Rapidez | - |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | - |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRD835LT4H Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBRD835LT4H-FT |
JANTXV1N6628US
Microsemi Corporation
JANTXV1N6629
Microsemi Corporation
JANTXV1N6629US
Microsemi Corporation
JANTXV1N6630
Microsemi Corporation
JANTXV1N6630US
Microsemi Corporation
JANTXV1N6631
Microsemi Corporation
JANTXV1N6631US
Microsemi Corporation
JANTXV1N6642UB
Microsemi Corporation
JANTXV1N6643US
Microsemi Corporation
JANTXV1N6660
Microsemi Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel