casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBRD640CTT4G
Número da peça de fabricante | MBRD640CTT4G |
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Número da peça futura | FT-MBRD640CTT4G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SWITCHMODE™ |
MBRD640CTT4G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 40V |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DPAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRD640CTT4G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBRD640CTT4G-FT |
DCC010-TB-E
ON Semiconductor
DCD010-TB-E
ON Semiconductor
M1MA152WAT1
ON Semiconductor
MMBD2837LT1
ON Semiconductor
MMBD2838LT1
ON Semiconductor
MMBD6100LT3
ON Semiconductor
MMBD6100LT3G
ON Semiconductor
MMBD7000LT3
ON Semiconductor
SB05W05C-TB-E
ON Semiconductor
DCA010-TB-E
ON Semiconductor
XA6SLX25-3FGG484Q
Xilinx Inc.
M1A3P250-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1
Intel
10CL055YU484I7G
Intel
EP3SL50F484C4L
Intel
5SGXEA7N3F45I3LN
Intel
XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
AGL125V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation