casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / MBRD6100CT-TP
Número da peça de fabricante | MBRD6100CT-TP |
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Número da peça futura | FT-MBRD6100CT-TP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBRD6100CT-TP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 6A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 740mV @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 200µA @ 100V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D-Pak |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRD6100CT-TP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBRD6100CT-TP-FT |
RRE04EA4DTR
Rohm Semiconductor
DSS2-60AT2
IXYS
DSS2-60AT2AP
IXYS
RURD4120S9A-F085
ON Semiconductor
RURD660S9A-F085
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FFSD10120A
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C4D10120E
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C3D04060E
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FFD10UP20S
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A54SX16A-1TQ144I
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XC7A75T-3FGG484E
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M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
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EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
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XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
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EP4SGX110HF35I3
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