casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBRB30H60CT-1G
Número da peça de fabricante | MBRB30H60CT-1G |
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Número da peça futura | FT-MBRB30H60CT-1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SWITCHMODE™ |
MBRB30H60CT-1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 15A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 620mV @ 15A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 300µA @ 60V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | I2PAK (TO-262) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB30H60CT-1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBRB30H60CT-1G-FT |
BAV99LT3G
ON Semiconductor
SBAV70LT1G
ON Semiconductor
SBAV70LT3G
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SBAS40-06LT1G
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SBAT54ALT3G
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EP20K160ETC144-1X
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XC6SLX45-L1FGG484C
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AGLN250V5-ZCSG81I
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EPF10K100EFC484-1N
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EPF10K30AFC484-3
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5SGXEA4K1F40C2N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
Microsemi Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel
EPF10K50VBC356-4N
Intel