casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBRB30H30CT-1G
Número da peça de fabricante | MBRB30H30CT-1G |
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Número da peça futura | FT-MBRB30H30CT-1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SWITCHMODE™ |
MBRB30H30CT-1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 15A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 480mV @ 15A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 800µA @ 30V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | I2PAK (TO-262) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB30H30CT-1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBRB30H30CT-1G-FT |
SMMBD2835LT1G
ON Semiconductor
BAS21SLT1
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BAT54ALT3G
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XC4010XL-1PQ100C
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XC2S150-5PQ208C
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M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45C2L
Intel
5SGXEABN3F45C4N
Intel
XC7K355T-1FF901C
Xilinx Inc.
XC7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
EP1S40F780C7N
Intel
EP4SGX530HH35C2N
Intel