casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBRB10H100CT-E3/81
Número da peça de fabricante | MBRB10H100CT-E3/81 |
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Número da peça futura | FT-MBRB10H100CT-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBRB10H100CT-E3/81 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 760mV @ 5A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 3.5µA @ 100V |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB10H100CT-E3/81 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBRB10H100CT-E3/81-FT |
V10D202CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D45CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D60C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20D202C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20D202CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20D45CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20DM100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20DM120-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20DM120C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V500-5FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG144A
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
APA075-PQ208A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A200T-1SBG484C
Xilinx Inc.
LFEC3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C7N
Intel
EPF10K50EQC208-3
Intel