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Número da peça de fabricante | MBRB10100CT-TP |
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Número da peça futura | FT-MBRB10100CT-TP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBRB10100CT-TP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 5A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 100V |
Temperatura de funcionamento - junção | -50°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D²PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB10100CT-TP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBRB10100CT-TP-FT |
BAW56T,115
NXP USA Inc.
BYV34G-600,127
WeEn Semiconductors
BYQ28ED-200,118
WeEn Semiconductors
BYQ28ED-200PLJ
WeEn Semiconductors
BAS40-04/ZLR
NXP USA Inc.
BAS40-04/ZLVL
NXP USA Inc.
BAS40-05/ZLR
NXP USA Inc.
BAS40-05/ZLVL
NXP USA Inc.
BAS40-06/ZLVL
NXP USA Inc.
BAV170/ZLR
NXP USA Inc.
LCMXO640C-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-5FGG320C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FG484I
Microsemi Corporation
AFS600-1FG484K
Microsemi Corporation
A3PN060-Z1VQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K3F40I3N
Intel
10M08SAU169I7G
Intel
5SGXEB5R2F43I2LN
Intel
EP2S60F1020C3N
Intel