casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / MBR735HC0G
Número da peça de fabricante | MBR735HC0G |
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Número da peça futura | FT-MBR735HC0G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
MBR735HC0G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Atual - Média Retificada (Io) | 7.5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 15A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 35V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-2 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AC |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR735HC0G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR735HC0G-FT |
CRS08(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS09(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS11(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS387,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS389,L3F
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CES388,L3F
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1SS405,H3F
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1SS307E,L3F
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CES520,L3F
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CES521,L3F
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LCMXO2-7000ZE-1TG144C
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M2GL010TS-1FG484I
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APA750-PQ208
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EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
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EP4SE530H40I3
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XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
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