Número da peça de fabricante | MBR730 |
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Número da peça futura | FT-MBR730 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBR730 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Atual - Média Retificada (Io) | 7.5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 15A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 30V |
Capacitância @ Vr, F | 400pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-2 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AC |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR730 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR730-FT |
B370-13-F
Diodes Incorporated
S3A-13-F
Diodes Incorporated
S5KC-13-F
Diodes Incorporated
S5MC-13-F
Diodes Incorporated
RS3G-13-F
Diodes Incorporated
S3M-13-F
Diodes Incorporated
RS3B-13-F
Diodes Incorporated
RS3K-13-F
Diodes Incorporated
SK34-7-F
Diodes Incorporated
SK35-7-F
Diodes Incorporated
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel