casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBR60030CT
Número da peça de fabricante | MBR60030CT |
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Número da peça futura | FT-MBR60030CT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBR60030CT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 300A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 300A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1mA @ 20V |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Twin Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Twin Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR60030CT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR60030CT-FT |
MBR2X080A180
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A200
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A045
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MBR2X100A100
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MBR2X100A120
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MBR2X100A150
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MBR2X120A060
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EP2C5T144I8
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A1020B-2PQG100I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484C3N
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5SGXEA7K2F40I2N
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EP2AGX45DF25C6
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XC4028EX-3HQ208C
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LFXP20C-5F256C
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LFE2-12SE-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP3SE80F780C4N
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