casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBR600200CT
Número da peça de fabricante | MBR600200CT |
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Número da peça futura | FT-MBR600200CT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBR600200CT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 300A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 300A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 3mA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Twin Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Twin Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR600200CT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR600200CT-FT |
MBR2X080A060
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A120
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A150
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A180
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A200
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A045
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A060
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A100
GeneSiC Semiconductor
XA2S100E-6TQ144Q
Xilinx Inc.
XCS20XL-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
A40MX02-2PL68
Microsemi Corporation
10M16SCU169A7G
Intel
10AX027H4F35I3LG
Intel
A42MX09-1PQ100
Microsemi Corporation
10AX057K3F40I2SG
Intel
EP3SE80F780C2
Intel