casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBR600200CTR
Número da peça de fabricante | MBR600200CTR |
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Número da peça futura | FT-MBR600200CTR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBR600200CTR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 300A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 300A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 3mA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Twin Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Twin Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR600200CTR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR600200CTR-FT |
MBR2X080A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A120
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A150
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A180
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A200
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A045
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A060
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A100
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A120
GeneSiC Semiconductor